zynq板卡上原来用的是256M的Winbond（W25Q256JVEQ），因为内存需求，换成512Mb的该芯片试试。看看256Mb以上地址的读写是否成功。
网上关于该芯片的资料较少，只能自己看数据手册学习了。
https://file.elecfans.com/web2/M00/27/BB/poYBAGHCyfSAW_JbABn8uygwSwM856.pdf
ZD25Q512AYIGY -PDF数据手册-参考资料-立创商城
查看数据手册：（在立创商城官网搜索该芯片即可）
1 Extended Address Register
该芯片有Status Registers，也有Extended Address Register（和之前用的winbond一样）。
但是只支持3字节模式下使用。即4字节模式下，EAR无效。
该寄存器有A31：A24，一共8位。该8位，与3字节读写的24位地址，共同组成为首地址（Start Address）。
当A24 = 0：是低128Mb 0xh - 0xFF_FFFFh
当A24 = 1：是高128Mb 0x100_0000h - 0x1FF_FFFFh
-----也就是说，A24控制的是256M中的低128M和高128M。
那谁在控制512M中的低256M和高256M呢？
所以我们需要做到：
3字节地址模式；
写入Write Extended Address Register（0/1）
2 Die #
该芯片有两个Die：Die #0和Die #1.
同一时间，只能有一个Die是active。
默认Die #0 是active。
发送C2H指令后，可以选择Die。
当内部Program / Erase操作在进行时，可以切换Die。
切换Die的时序：/CS为low，发送C2H，发送Die ID，/CS为high。
3 ID
和Winbond一样，该芯片也有：JEDEC ID和Unique ID number
4 3-byte
5 总结
zd25q512芯片是2×256M，理解为两片256M。
目前关注到的几个寄存器，都和Winbond的地址位一致。ZD25Q256只多了Software Die Select。
只有在3字节读写（ADS=0）的情况下，才能根据地址进行低128Mb和高128Mb的读写（0xh - 0xff_ffffh，0x100_0000 - 0x1ff_ffff）（扩展的地址为bit24）。
要写入扩展地址寄存器位时，必须先执行写使能（06H）。然后再发送C5H，写入扩展地址注册表数据字节来输入指令。
流程：
Die #0 --> Die #1.
Die #0 :
低128M --> 高128M
注意：四个部分写入的数据不相同。擦除后再写不同的数据（证明擦除和读写正常）
读 --> 写1 --> 读 --> 擦除 --> 写2
切换Die： C2H发送0或1即可
256M中的低128M和高128M读写：尝试了C5H写0或1，但是发现是同一块内存
所有的读写都是3字节模式
