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十.GPIO

2.基本结构

基本结构：

F1与其它的的最大区别是上下拉电阻的位置
施密特触发器是一种整形电路，可以将非标准方波，整形成方波

图中MOS管的输出规则：

3.8中工作模式

①输入浮空：

1. 上下拉电阻均不工作
2. MOS管关闭
3. 输入引导至寄存器然后读出
4. 空闲时，IO状态不确定

②输入上拉：

1. 上拉电阻工作
2. MOS管关闭
3. 输入引导至寄存器然后读出
4. 空闲时，IO呈现高电平

③输入下拉：

1. 下拉电阻工作
2. MOS管关闭
3. 输入引导至寄存器然后读出
4. 空闲时，IO呈现低电平

④模拟输入：

1. 上下拉电阻均不工作
2. MOS管关闭
3. 施密特触发器关闭，输入引导至模拟输入

⑤开漏输出：

1. 上下拉电阻均不工作
2. P-MOS管关闭
3. 往ODR(输出控制)输出0，则N-MOS管导通；输出1则关闭
4. 施密特触发器打开(允许输入)
5. 不会输出高电平，必须有外部或内部上拉才能输出1

⑥复用开漏输出：

1. 上下拉电阻均不工作
2. P-MOS管关闭
3. 往ODR(输出控制)输出0，则N-MOS管导通；输出1则关闭
4. 施密特触发器打开(允许输入)
5. 不会输出高电平，必须有外部或内部上拉才能输出1
6. 输出来自片上外设

⑦推挽输出：

1. 上下拉电阻均不工作
2. 往ODR输出0，则N-MOS管导通；输出1，则P-MOS管导通
3. 施密特触发器打开(允许输入)
4. 可输出高低电平

⑧复用推完输出：

1. 上下拉电阻均不工作
2. 往ODR输出0，则N-MOS管导通；输出1，则P-MOS管导通
3. 施密特触发器打开(允许输入)
4. 可输出高低电平
5. 输出来自片上外设

F1与其它系列的GPIO的不同：

1. F1在输出模式，禁止使用内部上下拉，其它系列允许
2. 不同系列IO翻转速度不同

9.GPIO的寄存器

一共7个寄存器：

1. CRL：控制位的低位，配置工作模式，输出速度
2. CRH：控制位的高位
3. IDR：输入数据
4. ODR：输出数据
5. BSRR：设置ODR寄存器的值
6. BRR：F4之后没有，一般不用
7. LCKR：配置锁定，用得不多

CRL和CRH的寄存器相同：

CNF(Configuration Bits配置位)用于细化引脚工作模式的关键参数

IDR和ODR的寄存器相同：

BSRR(Bit Set/Reset Register)寄存器：

ODR和BSRR的区别：使用ODR，在读和修改访问之间产生中断，可能会产生风险；BSRR则无风险，所以一般用BSRR(HAL库中的WritePin用的就是BSRR)

10.配置步骤

①使能时钟：__HAL_RCC_GPIOx_CLK_ENABLE()
②设置工作模式：HAL_GPIO_Init()
相关函数：
HAL_GPIO_WritePin(…)
HAL_GPIO_TogglePin(…)
HAL_GPIO_ReadPin(…)

初始化函数示例：

十一.中断

1.介绍

中断：打断CPU执行正常的程序，转而处理紧急程序，然后返回原暂停的程序继续运行，就叫中断

GPIO外部中断简图：