数字IC后端实现之Innovus Place跑完density爆涨案例分析

2025/8/12 12:39:12 来源：https://blog.csdn.net/weixin_37584728/article/details/143440226 浏览: 次关键词：数字IC后端实现之Innovus Place跑完density爆涨案例分析

下图所示为咱们社区a7core后端训练营学员的floorplan。

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数字IC后端实现 | Innovus各个阶段常用命令汇总

该学员跑placement前density是59.467%，但跑完place后density飙升到87.68%。

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仔细查看place过程中的log就可以发现Density一路飙升！
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数字IC后端物理验证PV | TSMC 12nm Calibre Base Layer DRC案例解析

另外附上reg2mem的一条timing path。

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【数字IC后端问题讨论】

1）欢迎大家谈谈自己遇到这种case，你会从哪些方面分析？

2）当前floorplan需要改进的地方有哪几个？

3）基于当前floorplan实现的结果容易有哪些问题？

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